2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.31 грн |
| 5000+ | 25.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ598-ZK-E1-AZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SJ598-ZK-E1-AZ за ціною від 26.05 грн до 80.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ598-ZK-E1-AZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SJ598-ZK-E1-AZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SJ598-ZK-E1-AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 23W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SJ598-ZK-E1-AZ | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs POWER TRS2 |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SJ598-ZK-E1-AZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MP-3ZK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V |
на замовлення 7154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SJ598-ZK-E1-AZ |
|
на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |