на замовлення 37609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 98+ | 229.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ653 onsemi
Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220ML, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SJ653 за ціною від 271.52 грн до 271.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ653 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220ML Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 37609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2SJ653 | Виробник : NEC |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 2SJ653 | Виробник : SANYO |
05+ |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |