Продукція > ONSEMI > 2SJ653
2SJ653

2SJ653 onsemi

SNYOS08649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 37609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+222.79 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ653 onsemi

Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220ML, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SJ653

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SJ653 2SJ653 ONSEMI SNYOS08649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220ML
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ653 SANYO SNYOS08649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ653 SNYOS08649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SJ653
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SJ653 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37 A, 0.016 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220ML
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ653 SNYOS08649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: SANYO
05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.