Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SJ661-DL-1E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SJ661-DL-1E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 38 A, 0.0295 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 38, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 65, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: 2SJ661, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0295, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SJ661-DL-1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor |
 MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
2SJ661-DL-1E | ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SJ661-DL-1E | Rochester Electronics, LLC |
Description: 2SJ661 - P-CHANNEL POWER MOSFET |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 235 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SJ661-DL-1E |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SJ661-DL-1E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SJ661-DL-1E |
|
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: 2SJ661 - P-CHANNEL POWER MOSFET
Description: 2SJ661 - P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)