Продукція > SANYO > 2SJ670-TD-E
2SJ670-TD-E

2SJ670-TD-E Sanyo

2156_2sj670d.pdf
Виробник: Sanyo
Description: 2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
Packaging: Bulk
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ670-TD-E Sanyo

Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SJ670-TD-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SJ670-TD-E ONSEMI 2sj670d.pdf Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ670-TD-E 2sj670d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.