на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 226+ | 51.71 грн |
| 250+ | 49.64 грн |
| 500+ | 47.85 грн |
| 1000+ | 44.64 грн |
| 2500+ | 40.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Mounting: SMD, Case: SC59, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.2A, On-state resistance: 1Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SK1062(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |
|
 |
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |