на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 244+ | 52.00 грн |
| 254+ | 49.92 грн |
| 500+ | 48.12 грн |
| 1000+ | 44.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1062(TE85L,F) Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59, Drain current: 0.2A, Power dissipation: 0.2W, On-state resistance: 1Ω, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Case: SC59, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції 2SK1062(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
2SK1062(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 200mW; SC59 Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 1Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Case: SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |