Продукція > RESAS > 2SK1151STR-E

2SK1151STR-E RESAS


Виробник: RESAS
SOT252
на замовлення 8080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1151STR-E RESAS

Description: NCH POWER MOSFET 450V 1.5A 5500M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK1151STR-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK1151STR-E 2SK1151STR-E Виробник : Renesas Electronics Corporation Description: NCH POWER MOSFET 450V 1.5A 5500M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1151STR-E Виробник : Renesas Electronics Renesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.