Продукція > RENESAS > 2SK1317-E
2SK1317-E

2SK1317-E RENESAS

2sk1317-datasheet Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.12 грн
5+916.39 грн
10+866.66 грн
50+758.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1317-E RENESAS

Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 2SK1317-E за ціною від 723.41 грн до 1501.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics REN_rej03g0929_2sk1317ds_DST_20050907-2930750.pdf MOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P
на замовлення 87513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.07 грн
10+890.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : Renesas Electronics Corporation 2sk1317-datasheet?r=1335631 Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1501.60 грн
30+911.15 грн
120+794.29 грн
510+723.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-E Виробник : Renesas 2sk1317-datasheet?r=1335631 2SK1317 HIT2SK1317
кількість в упаковці: 360 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK1317-E 2SK1317-E Виробник : RENESAS rej03g0929_2sk1317ds.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.