2SK1317-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1480.07 грн |
| 30+ | 898.09 грн |
| 120+ | 782.91 грн |
| 510+ | 713.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1317-E Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SK1317-E за ціною від 506.81 грн до 506.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK1317-E | Renesas Electronics |
MOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P |
на замовлення 87513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
2SK1317-E | RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SK1317E | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SK1317-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P
MOSFETs NCH PWR MOSFET 1500V 2.5A 12000MOHM TO3P
на замовлення 87513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SK1317-E |
![]() |
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





