2SK1835-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 17302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 601.55 грн |
| 30+ | 462.2 грн |
| 120+ | 413.56 грн |
| 510+ | 342.45 грн |
| 1020+ | 308.2 грн |
| 2010+ | 288.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1835-E Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SK1835-E за ціною від 303.03 грн до 674.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1835-E | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET - Pb Free |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK1835-E | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1835-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 4.6 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SK1835-E Код товару: 131706 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| 2SK1835-E | Виробник : Renesas |
2SK1835 HIT2SK1835 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |