Технічний опис 2SK1888 Sanyo Electric
Description: 30A, 30V, 0.035ohm, N-Channel MO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220ML, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK1888
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1888 | SANYO |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SK1888 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK1888 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 321 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK1888 |
Виробник: SANYO
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SK1888 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK1888 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SK1888 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


