Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 2SK2225-80-E#T2
2SK2225-80-E#T2

2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics Corporation

2sk2225-80-e-datasheet?r=1336401
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1404.13 грн
25+865.84 грн
100+750.50 грн
500+666.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

Інші пропозиції 2SK2225-80-E#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK2225-80-E#T2 2SK2225-80-E#T2 RENESAS 2sk2225-80-e-datasheet?r=1336401 Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2225-80-E#T2 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics r07ds1275ej0300_2sk222580e-2508875.pdf MOSFETs PWR MOSFET 2A 1500V TO-3PFM Pb Free
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2225-80-E#T2 2sk2225-80-e-datasheet?r=1336401
2SK2225-80-E#T2
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 12 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK2225-80-E#T2 r07ds1275ej0300_2sk222580e-2508875.pdf
2SK2225-80-E#T2
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs PWR MOSFET 2A 1500V TO-3PFM Pb Free
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.