
2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 433.44 грн |
10+ | 426.40 грн |
25+ | 288.39 грн |
100+ | 267.79 грн |
500+ | 261.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 9 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SK2225-80-E#T2 за ціною від 314.43 грн до 805.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK2225-80-E#T2 | Виробник : RENESAS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
2SK2225-80-E#T2 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
2SK2225-80-E#T2 | Виробник : Renesas |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|