2SK2315TYTR-E

2SK2315TYTR-E Renesas Electronics America Inc


2sk2315-datasheet Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: UPAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 10 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK2315TYTR-E Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 2A UPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: UPAK, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK2315TYTR-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK2315TYTR-E 2SK2315TYTR-E Виробник : Renesas Electronics rej03g1006_2sk2315ds-1090470.pdf MOSFET MOSFET - Pb Free
товар відсутній