Продукція > ROHM > 2SK3018T106
2SK3018T106

2SK3018T106 ROHM

ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.10 грн
1500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3018T106 ROHM

Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SK3018T106 за ціною від 4.91 грн до 19.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2sk3018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002830596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.64 грн
63+13.29 грн
104+7.95 грн
500+6.10 грн
1500+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 Виробник : ROHM 04+
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT-323 06+
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 Виробник : ROHM SOT323-KN
на замовлення 184378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2SK3018_RevB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2SK3018_RevB.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106 2SK3018T106 Виробник : ROHM Semiconductor 2SK3018_RevB.pdf MOSFETs N-CH 30V .1A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.