2SK3019TL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.75 грн |
| 6000+ | 4.13 грн |
| 9000+ | 3.89 грн |
| 15000+ | 3.41 грн |
| 21000+ | 3.27 грн |
| 30000+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3019TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: EMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SK3019TL за ціною від 5.14 грн до 24.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3019TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SK3019TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK3019TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V |
на замовлення 35463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK3019TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SK3019 TL | Виробник : RHOM | SOT523 04+ |
на замовлення 1711 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK3019 TL | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 7965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK3019 TL | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 5288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK3019 TL | Виробник : ROHM | SOT416-KN |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK3019TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
2SK3019TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CH 30V .1A SOT416 |
товару немає в наявності |