2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 17.98 грн |
| 2000+ | 17.15 грн |
| 3000+ | 16.68 грн |
| 5000+ | 15.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3065T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SK3065T100 за ціною від 17.29 грн до 58.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 22231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SK3065T100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CH 60V 2A |
на замовлення 69427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
05+ SOT89 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : ROHM |
10+ROHS SOT-89 |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK3065 T100 | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 604 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC62 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Version: ESD Mounting: SMD On-state resistance: 0.45Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| 2SK3065T100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SC62 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8A Version: ESD Mounting: SMD On-state resistance: 0.45Ω |
товару немає в наявності |