Продукція > TOSHIBA > 2SK3475(TE12L,F)
2SK3475(TE12L,F)

2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969F893E63BC33D6&compId=2SK3475.pdf?ci_sign=f28132998e6c50805f4c62046025e8e50a927e6f Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Power dissipation: 3W
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.41 грн
5+115.22 грн
9+110.58 грн
23+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3475(TE12L,F) TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW, Case: SOT89, Kind of package: reel; tape, Frequency: 520MHz, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1A, Type of transistor: N-MOSFET, Open-loop gain: 14.9dB, Output power: 630mW, Power dissipation: 3W, Efficiency: 45%, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: SMT, Kind of transistor: RF, Kind of channel: depletion, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції 2SK3475(TE12L,F) за ціною від 124.34 грн до 164.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK3475(TE12L,F) 2SK3475(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8969F893E63BC33D6&compId=2SK3475.pdf?ci_sign=f28132998e6c50805f4c62046025e8e50a927e6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 1A; 3W; SOT89; Pout: 630mW
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 14.9dB
Output power: 630mW
Power dissipation: 3W
Efficiency: 45%
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.89 грн
5+143.58 грн
9+132.69 грн
23+126.20 грн
100+124.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475(TE12L.F) 2SK3475(TE12L.F) Виробник : Toshiba 5269.pdf Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3475(TE12L,F) 2SK3475(TE12L,F) Виробник : Toshiba 5269.pdf Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.