2SK3491-TL-E onsemi
на замовлення 409500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1402+ | 13.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3491-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SK3491-TL-E за ціною від 14.16 грн до 14.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3491-TL-E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 409500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|