Продукція > ONSEMI > 2SK3491-TL-E
2SK3491-TL-E

2SK3491-TL-E onsemi

2156_en6959ad.pdf
Виробник: onsemi
Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 409500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
956+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3491-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SK3491-TL-E за ціною від 20.57 грн до 20.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E ON Semiconductor en6959a_d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 136500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E ON Semiconductor en6959a_d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3491-TL-E 2SK3491-TL-E ONSEMI 2156_en6959ad.pdf Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 250600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3491-TL-E en6959a_d.pdf
2SK3491-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 136500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1716+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3491-TL-E en6959a_d.pdf
2SK3491-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 1A 3-Pin(2+Tab) TP-FA
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1716+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3491-TL-E 2156_en6959ad.pdf
2SK3491-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3491-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 250600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.