Продукція > ONSEMI > 2SK3615-TL-E
2SK3615-TL-E

2SK3615-TL-E onsemi

2sk3615d.pdf Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL SILICON MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 156800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
410+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 410
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3615-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SK3615-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SK3615-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK3615-TL-E 2SK3615-TL-E Виробник : ONSEMI 2sk3615d.pdf Description: ONSEMI - 2SK3615-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)