2SK3666-3-TB-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 200 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3666-3-TB-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції 2SK3666-3-TB-E за ціною від 3.89 грн до 8.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor |
JFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 5502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 38989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 708454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SK3666-3-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 814520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SK3666-3-TB-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
JFET SWITCHING DEVICE
JFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 5502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SK3666-3-TB-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 38989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 194+ | 3.89 грн |
| 2SK3666-3-TB-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 38989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3624+ | 3.89 грн |
| 2SK3666-3-TB-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 708454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4244+ | 8.32 грн |
| 10000+ | 7.41 грн |
| 100000+ | 6.21 грн |
| 2SK3666-3-TB-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 814520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


