2SK3666-3-TB-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: JFET N-CH 10MA SMCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
Current Drain (Id) - Max: 10 mA
Supplier Device Package: SMCP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 200 mW
Resistance - RDS(On): 200 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V
на замовлення 869056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4127+ | 4.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3666-3-TB-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SK3666-3-TB-E за ціною від 3.03 грн до 8.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3666-3-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
JFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 5502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 55068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK3666-3-TB-E - JFET-Transistor, 3 mA, -2.2 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 3mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: - Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -2.2V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 851032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 55068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 2SK3666-3-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
2SK3666-3-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
2SK3666-3-TB-E | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 10MA SMCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V Current Drain (Id) - Max: 10 mA Supplier Device Package: SMCP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 200 mW Resistance - RDS(On): 200 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 180 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2 mA @ 10 V |
товар відсутній |