Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > 2SK3811-ZP-E1-AY

2SK3811-ZP-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Name: 2SK3811-ZP-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 149817-4
Price: 165168.00 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SK3811-ZP-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-263, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SK3811-ZP-E1-AY

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	2SK3811-ZP-E1-AY	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc) Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700 pF @ 10 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	2SK3811-ZP-E1-AY	Виробник : Renesas Electronics	MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 110A 1.8mohm TO-263 / D2PAK	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.