2SK3821-E onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 40A SMP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
на замовлення 18594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
99+ | 224.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3821-E onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 40A SMP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Short Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: SMP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V.
Інші пропозиції 2SK3821-E за ціною від 255.84 грн до 255.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK3821-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
2SK3821-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3, Short Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SMP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |