Продукція > TOSHIBA > 2SK3878(F)
2SK3878(F)

2SK3878(F) Toshiba

2sk3878_datasheet_en_20131101.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK3878(F) Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SK3878(F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.3 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 9, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 150, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).

Інші пропозиції 2SK3878(F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SK3878F TOSHIBA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3878F
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.