Продукція > ONSEMI > 2SK4094-1E

2SK4094-1E onsemi


ena0523-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 90W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
126+177.68 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK4094-1E onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 90W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції 2SK4094-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SK4094-1E 2SK4094-1E ON Semiconductor ENA0523-D-1803690.pdf MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4094-1E ENA0523-D-1803690.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.