на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 405+ | 76.48 грн |
| 500+ | 68.84 грн |
| 1000+ | 63.48 грн |
| 10000+ | 54.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK4150TZ-E Renesas
Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V.
Інші пропозиції 2SK4150TZ-E за ціною від 65.11 грн до 65.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK4150TZ-E | Виробник : Renesas |
Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSFPackaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
2SK4150TZ-E | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 250V 400MA TO92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
|
2SK4150TZ-E | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET |
товару немає в наявності |


