Продукція > RENESAS > 2SK4150TZ-E
2SK4150TZ-E

2SK4150TZ-E Renesas

rej03g1909_2sk4150ds.pdf Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
405+75.21 грн
500+67.70 грн
1000+62.42 грн
10000+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 405
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK4150TZ-E Renesas

Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V.

Інші пропозиції 2SK4150TZ-E за ціною від 55.75 грн до 55.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK4150TZ-E Виробник : Renesas rej03g1909_2sk4150ds.pdf Description: 2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
390+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 390
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-E 2SK4150TZ-E Виробник : Renesas Electronics Corporation 2sk4150-datasheet?language=en Description: MOSFET N-CH 250V 400MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7Ohm @ 200mA, 4V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4150TZ-E 2SK4150TZ-E Виробник : Renesas Electronics rnccs06018_1-2291302.pdf MOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.