на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 364+ | 85.21 грн |
| 500+ | 76.69 грн |
| 1000+ | 70.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK4151TZ-E Renesas
Description: MOSFET N-CH 150V 1A TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Supplier Device Package: TO-92, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK4151TZ-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SK4151TZ-E | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 150V 1A TO92Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 500mA, 4V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 98 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
2SK4151TZ-E | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET MOSFET |
товару немає в наявності |


