Продукція > ONSEMI > 2SK4177-DL-1E
2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1E ONSEMI

2028670.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK4177-DL-1E ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Supplier Device Package: TO-263-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V.

Інші пропозиції 2SK4177-DL-1E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Виробник : ONSEMI 2028670.pdf Description: ONSEMI - 2SK4177-DL-1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 80
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Виробник : ON Semiconductor 51ena0869-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Виробник : onsemi ena0869-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Виробник : onsemi ENA0869_D-2310908.pdf MOSFETs N-Channel Power MOSFET, 1500V, 2A, 13ohm, TO-263-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.