2SK4221 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 826.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK4221 onsemi
Description: ONSEMI - 2SK4221 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.18 ohm, TO-3PB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220W, Bauform - Transistor: TO-3PB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SK4221 за ціною від 826.91 грн до 1049.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK4221 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V |
на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| 2SK4221 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK4221 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.18 ohm, TO-3PB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-3PB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 2SK4221 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray |
на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
2SK4221 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc) Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
2SK4221 | Виробник : onsemi |
MOSFETs POWER MOSFET |
товару немає в наявності |