Продукція > ONSEMI > 2SK4222
2SK4222

2SK4222 onsemi

2SK4222.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V
на замовлення 6504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+729.91 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK4222 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc), Supplier Device Package: TO-3PB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V.

Інші пропозиції 2SK4222 за ціною від 765.72 грн до 916.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SK4222 Виробник : ON Semiconductor 2SK4222.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray
на замовлення 10092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+916.09 грн
100+878.47 грн
500+840.85 грн
1000+765.72 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
2SK4222 2SK4222 Виробник : onsemi 2SK4222.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.