2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Power - Max: 100 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK880GRTE85LF за ціною від 14.20 грн до 49.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK880GRTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V SC70 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Power - Max: 100 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SK880GRTE85LF | Toshiba |
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
на замовлення 16619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SK880GRTE85LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH 50V SC70
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: JFET N-CH 50V SC70
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Power - Max: 100 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.26 грн |
| 10+ | 30.76 грн |
| 100+ | 20.57 грн |
| 500+ | 15.76 грн |
| 1000+ | 14.20 грн |
| 2SK880GRTE85LF |
|
Виробник: Toshiba
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
JFETs N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
на замовлення 16619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)