2STN1360 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 14.83 грн |
| 2000+ | 12.95 грн |
| 3000+ | 12.27 грн |
| 5000+ | 10.80 грн |
| 7000+ | 10.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2STN1360 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2STN1360 за ціною від 9.07 грн до 63.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2STN1360 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 1.6W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.6W Collector current: 3A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 80...400 Frequency: 130MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 7259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2STN1360 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER |
на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2STN1360 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 280hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2STN1360 | Виробник : ST |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2STN1360 | Виробник : ST |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2STN1360 | Виробник : ST |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 2STN1360 T2STN1360 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 630 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| 2STN1360 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |