2STR1160 STMicroelectronics
на замовлення 13449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 34.61 грн |
| 3000+ | 30.09 грн |
| 6000+ | 19.88 грн |
| 9000+ | 6.40 грн |
| 24000+ | 4.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2STR1160 STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції 2STR1160
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2STR1160 Код товару: 114990
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
||
|
|
2STR1160 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|
| 2STR1160 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
||
|
2STR1160 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|
|
2STR1160 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2STR1160 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |


