30A02CH-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30A02CH-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 30A02CH-TL-E за ціною від 8.31 грн до 41.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
30A02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
30A02CH-TL-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.7A; 0.7W; CPH3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.7A Power dissipation: 0.7W Case: CPH3 Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
30A02CH-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 520MHz Supplier Device Package: 3-CPH Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 6783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
30A02CH-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 30V |
на замовлення 4898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
30A02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| 30A02CH-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R |
на замовлення 297243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.25 грн |
| 500+ | 11.28 грн |
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.7A; 0.7W; CPH3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.7W
Case: CPH3
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.7A; 0.7W; CPH3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.7W
Case: CPH3
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 23.70 грн |
| 28+ | 15.15 грн |
| 100+ | 9.82 грн |
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.98 грн |
| 14+ | 22.63 грн |
| 100+ | 14.43 грн |
| 500+ | 10.19 грн |
| 1000+ | 9.10 грн |
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 30V
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.20 грн |
| 14+ | 24.34 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.52 грн |
| 33+ | 25.43 грн |
| 100+ | 16.25 грн |
| 500+ | 11.28 грн |
| 30A02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
на замовлення 297243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3175+ | 11.11 грн |
| 10000+ | 9.92 грн |
| 100000+ | 8.31 грн |





