Продукція > ONSEMI > 30A02CH-TL-E
30A02CH-TL-E

30A02CH-TL-E onsemi


30a02ch-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30A02CH-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 30A02CH-TL-E за ціною від 5.88 грн до 38.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
30A02CH-TL-E 30A02CH-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.27 грн
500+9.61 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E 30A02CH-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 30A02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.72 грн
38+22.04 грн
100+12.27 грн
500+9.61 грн
1000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E 30A02CH-TL-E Виробник : onsemi 30A02CH_D-2309400.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 30V
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.30 грн
15+23.45 грн
100+10.64 грн
1000+7.81 грн
3000+6.40 грн
9000+6.18 грн
24000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E 30A02CH-TL-E Виробник : onsemi 30a02ch-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.7A 3-CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: 3-CPH
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.64 грн
14+22.79 грн
100+14.46 грн
500+10.19 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E Виробник : ON Semiconductor 30a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E Виробник : ON Semiconductor 30a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
на замовлення 297345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3497+8.73 грн
10000+7.78 грн
100000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3497
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E Виробник : ONSEMI 30a02ch-d.pdf 30A02CH-TL-E PNP SMD transistors
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.85 грн
86+12.74 грн
236+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
30A02CH-TL-E Виробник : ON Semiconductor 30a02ch-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.