30C02CH-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.72 грн |
| 18+ | 17.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30C02CH-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH, Power - Max: 700 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Frequency - Transition: 540MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 30C02CH-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
30C02CH-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V |
на замовлення 7754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 30C02CH-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| 30C02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 540 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |
| 30C02CH-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Verlustleistung: 700 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 5399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 30C02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
на замовлення 7754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 30C02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 700mW 3-Pin CPH T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 30C02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 30C02CH-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


