30C02CH-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30C02CH-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-CPH, Power - Max: 700 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: 3-CPH, Frequency - Transition: 540MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 30C02CH-TL-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
30C02CH-TL-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V |
на замовлення 7754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 30C02CH-TL-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
на замовлення 7754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)