30C02MH-TL-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-MCPH
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-MCPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30C02MH-TL-E onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-MCPH, Power - Max: 600 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-MCPH, Frequency - Transition: 540MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 30C02MH-TL-E за ціною від 6.34 грн до 39.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
30C02MH-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 494-503 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
30C02MH-TL-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-MCPH Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: 3-MCPH Frequency - Transition: 540MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 30C02MH-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 30V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 494-503 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.85 грн |
| 14+ | 23.26 грн |
| 100+ | 11.28 грн |
| 1000+ | 7.68 грн |
| 3000+ | 6.70 грн |
| 9000+ | 6.48 грн |
| 24000+ | 6.34 грн |
| 30C02MH-TL-E |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-MCPH
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-MCPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 30V 0.7A 3-MCPH
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-MCPH
Frequency - Transition: 540MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.65 грн |
| 14+ | 23.44 грн |
| 100+ | 14.94 грн |
| 500+ | 10.55 грн |
| 1000+ | 9.43 грн |