30C02S-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 30C02S-TL-E - 30C02S - BIP NPN 0.6A 30V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30C02S-TL-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 30V 0.6A 3-SMCP, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 540MHz, Supplier Device Package: 3-SMCP, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW.
Інші пропозиції 30C02S-TL-E за ціною від 4.40 грн до 5.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 30C02S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.6A 3-SMCP Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 540MHz Supplier Device Package: 3-SMCP Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 30C02S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 200mW 3-Pin SMCP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|