30KP28A

30KP28A MDE Semiconductor Inc


30KP_Series.pdf Виробник: MDE Semiconductor Inc
Description: TVS DIODE 28VWM 50VC P600
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 606A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.28V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 30000W (30kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1405.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30KP28A MDE Semiconductor Inc

Description: TVS DIODE 28VWM 50VC P600, Packaging: Bulk, Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 606A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V, Supplier Device Package: P600, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 31.28V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V, Power - Peak Pulse: 30000W (30kW), Power Line Protection: No.

Інші пропозиції 30KP28A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
30KP28A 30KP28A Виробник : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 31.3V; 606A; unidirectional; R6; bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Mounting: THT
Case: R6
Max. off-state voltage: 28V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 606A
Breakdown voltage: 31.3V
Leakage current: 5mA
Kind of package: bulk
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KP28A 30KP28A Виробник : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 31.3V; 606A; unidirectional; R6; bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Mounting: THT
Case: R6
Max. off-state voltage: 28V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 606A
Breakdown voltage: 31.3V
Leakage current: 5mA
Kind of package: bulk
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.