Технічний опис 30KP51A Solid State Inc.
Category: Unidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 57V; 350.7A; unidirectional; R6; bulk, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 57V, Max. forward impulse current: 350.7A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: R6, Mounting: THT, Leakage current: 50µA, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated.
Інші пропозиції 30KP51A за ціною від 667.92 грн до 667.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
30KP51A | Виробник : EIC |
 TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin Case D-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
30KP51A | Виробник : EIC |
TVS Diode Single Uni-Dir 51V 30KW 2-Pin Case D-6 |
товару немає в наявності |
|||||
 |
30KP51A | Виробник : CDIL |
Category: Unidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 57V; 350.7A; unidirectional; R6; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 51V Breakdown voltage: 57V Max. forward impulse current: 350.7A Semiconductor structure: unidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 50µA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |