30KP75A

30KP75A EIC Semiconductor


30kp26-400ca_r07.pdf Виробник: EIC Semiconductor
TVS Diode Single Uni-Dir 75V 30KW 2-Pin Case D-6
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+786.04 грн
3600+732.42 грн
5400+691.78 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30KP75A EIC Semiconductor

Description: TVS DIODE 75VWM 119.4VC P600, Packaging: Bulk, Package / Case: P600, Axial, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 253.8A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V, Supplier Device Package: P600, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 83.8V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 119.4V, Power - Peak Pulse: 30000W (30kW), Power Line Protection: No.

Інші пропозиції 30KP75A за ціною від 1341.80 грн до 1341.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
30KP75A 30KP75A Виробник : MDE Semiconductor Inc 30KP_Series.pdf Description: TVS DIODE 75VWM 119.4VC P600
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 253.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 75V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 83.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 119.4V
Power - Peak Pulse: 30000W (30kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1341.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
30KP75A Виробник : Rectron 30KP_Series.pdf TVS,R6,30000W,10%,Unidir
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KP75A 30KP75A Виробник : CDIL 30KP_ser.PDF Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 30kW; 83.8V; 253.8A; unidirectional; R6; bulk
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 30kW
Max. off-state voltage: 75V
Breakdown voltage: 83.8V
Max. forward impulse current: 253.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: R6
Mounting: THT
Leakage current: 10µA
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.