30KPA170CA-B Littelfuse Inc.


littelfuse_tvs_diode_30kpa_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC P600
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30KPA170CA-B Littelfuse Inc.

Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 199.4V; 110.2A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 170V, Breakdown voltage: 199.4V, Max. forward impulse current: 110.2A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 2µA, Kind of package: bulk, Peak pulse power dissipation: 30kW, Manufacturer series: 30KPA, Features of semiconductor devices: glass passivated.

Інші пропозиції 30KPA170CA-B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
30KPA170CA-B 30KPA170CA-B Littelfuse Littelfuse_TVS_Diode_30KPA_Datasheet.pdf-269535.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA170CA-B 30KPA170CA-B LITTELFUSE 30KPA-ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 199.4V; 110.2A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 170V
Breakdown voltage: 199.4V
Max. forward impulse current: 110.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: P600
Mounting: THT
Leakage current: 2µA
Kind of package: bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Manufacturer series: 30KPA
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA170CA-B Littelfuse_TVS_Diode_30KPA_Datasheet.pdf-269535.pdf
Виробник: Littelfuse
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA170CA-B 30KPA-ser.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 199.4V; 110.2A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 170V
Breakdown voltage: 199.4V
Max. forward impulse current: 110.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: P600
Mounting: THT
Leakage current: 2µA
Kind of package: bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Manufacturer series: 30KPA
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.