на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 209.07 грн |
| 63+ | 193.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KPA258CA Good-Ark
Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 302.6V; 72.8A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape, Manufacturer series: 30KPA, Mounting: THT, Case: P600, Type of diode: TVS, Leakage current: 2µA, Tolerance: ±5%, Max. forward impulse current: 72.8A, Max. off-state voltage: 258V, Breakdown voltage: 302.6V, Peak pulse power dissipation: 30kW, Semiconductor structure: bidirectional, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції 30KPA258CA за ціною від 199.65 грн до 1392.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30KPA258CA | Виробник : Good-Ark |
 Diode TVS Single Bi-Dir 258V 30KW 2-Pin Case P-600 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
30KPA258CA | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TVS, BI-DIR, 30000W, 258V, P600 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 72.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 258V Supplier Device Package: P-600 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 288.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 416.4V Power - Peak Pulse: 30000W (30kW) Power Line Protection: No |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
30KPA258CA | Виробник : MDE Semiconductor Inc |
Description: TVS DIODE BP 258VRWM 416.4VC Packaging: Bulk Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 72.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 258V Supplier Device Package: P600 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 288.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 416.4V Power - Peak Pulse: 30000W (30kW) Power Line Protection: No |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
30KPA258CA | Виробник : Good-Ark |
Diode TVS Single Bi-Dir 258V 30KW 2-Pin Case P-600 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
30KPA258CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 302.6V; 72.8A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape Manufacturer series: 30KPA Mounting: THT Case: P600 Type of diode: TVS Leakage current: 2µA Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 72.8A Max. off-state voltage: 258V Breakdown voltage: 302.6V Peak pulse power dissipation: 30kW Semiconductor structure: bidirectional Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
30KPA258CA | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: TVS, BI-DIR, 30000W, 258V, P600 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 72.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 258V Supplier Device Package: P-600 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 288.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 416.4V Power - Peak Pulse: 30000W (30kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
30KPA258CA | Виробник : Littelfuse |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS Hi Power Diode 30KPA Axial |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
30KPA258CA | Виробник : LITTELFUSE |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 302.6V; 72.8A; bidirectional; ±5%; P600; 30kW; reel,tape Manufacturer series: 30KPA Mounting: THT Case: P600 Type of diode: TVS Leakage current: 2µA Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 72.8A Max. off-state voltage: 258V Breakdown voltage: 302.6V Peak pulse power dissipation: 30kW Semiconductor structure: bidirectional Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: glass passivated |
товару немає в наявності |