30KPA51CA-B Littelfuse Inc.


littelfuse_tvs_diode_30kpa_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 51VWM 86.4VC P600
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30KPA51CA-B Littelfuse Inc.

Category: Bidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 59.9V; 350.7A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW, Type of diode: TVS, Max. off-state voltage: 51V, Breakdown voltage: 59.9V, Max. forward impulse current: 350.7A, Semiconductor structure: bidirectional, Tolerance: ±5%, Case: P600, Mounting: THT, Leakage current: 0.1mA, Kind of package: bulk, Peak pulse power dissipation: 30kW, Manufacturer series: 30KPA, Features of semiconductor devices: glass passivated.

Інші пропозиції 30KPA51CA-B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
30KPA51CA-B 30KPA51CA-B Littelfuse media-3321242.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA51CA-B 30KPA51CA-B LITTELFUSE 30KPA-ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 59.9V; 350.7A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 59.9V
Max. forward impulse current: 350.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: P600
Mounting: THT
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Manufacturer series: 30KPA
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA51CA-B media-3321242.pdf
Виробник: Littelfuse
ESD Suppressors / TVS Diodes TVS Hi-Power Diode Axial
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30KPA51CA-B 30KPA-ser.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 59.9V; 350.7A; bidirectional; ±5%; P600; bulk; 30kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 59.9V
Max. forward impulse current: 350.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: P600
Mounting: THT
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: bulk
Peak pulse power dissipation: 30kW
Manufacturer series: 30KPA
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.