Продукція > UMW > 30P03D
30P03D

30P03D UMW

670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.36 грн
10+32.46 грн
100+20.93 грн
500+14.97 грн
1000+13.46 грн
2000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 30P03D UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-DFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V.

Інші пропозиції 30P03D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
30P03D 30P03D UMW 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30P03D 670b477da2c3bb971786a7fbd8dcf508.pdf
30P03D
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PDFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2215 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.