31DF6 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 35
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 31DF6 R0G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 31DF6 R0G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 45 A, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassspannung Vf max.: 1.7, Diodenkonfiguration: Einfach, Sperrerholzeit Trr, max.: 35, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 3, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 45, Betriebstemperatur, max.: 150, Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції 31DF6 R0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
31DF6 R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
товару немає в наявності |
|
 |
31DF6 R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 35ns, 3A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier |
товару немає в наявності |