31GF6-M3/73 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.42 грн |
| 10+ | 63.46 грн |
| 100+ | 36.58 грн |
| 500+ | 28.91 грн |
| 1000+ | 25.99 грн |
| 2000+ | 23.83 грн |
| 5000+ | 21.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 31GF6-M3/73 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-201AD, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-201AD, Axial, Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції 31GF6-M3/73
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
31GF6-M3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-201AD Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-201AD, Axial Packaging: Tape & Box (TB) |
товару немає в наявності |