3401 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 3401 Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V.
Інші пропозиції 3401 за ціною від 3.40 грн до 52.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3401 | GOFORD Semiconductor |
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 3401 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Gate charge: 8.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 3401 |
SOP8 |
на замовлення 973 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 3401 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
P-CH -30V -4.2A, 55mOhm/MAX at -10V, 69mOhm/MAX at -4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3659+ | 3.87 грн |
| 15000+ | 3.59 грн |
| 30000+ | 3.40 грн |
| 3401 |
|
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.2A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.50 грн |
| 13+ | 34.97 грн |
| 25+ | 18.76 грн |
| 100+ | 8.12 грн |
| 500+ | 4.86 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| 3000+ | 3.59 грн |