Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 3415A
3415A

3415A Goford Semiconductor

3415A.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
15000+2.59 грн
30000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3415A Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH ESD 20V 4A SOT-23, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 3415A за ціною від 4.83 грн до 23.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
3415A 3415A Виробник : Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
3415A 3415A Виробник : Goford Semiconductor 3415A.pdf Description: P20V,RD(MAX)<45M@-4.5V,RD(MAX)<6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.52 грн
23+13.67 грн
100+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
3415A Виробник : GOFORD Semiconductor 3415A.pdf P-CH -20V -4A 45mOhm/MAX at -4.5V, 60mOhm/MAX at -2.5V, SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3415A Виробник : KS Terminals 3415A.pdf KS Terminals
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3415A Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR 3415A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4A; 1.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.