Продукція > ONSEMI > 3LN01C-TB-H
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H onsemi

3LN01C.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
на замовлення 27873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LN01C-TB-H onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59-3/CP3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 3LN01C-TB-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
3LN01C-TB-H 3LN01C-TB-H ON Semiconductor 3LN01C-D-105621.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 10476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LN01C-TB-H SONYO 3LN01C.pdf SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LN01C-TB-H ONSEMI 3LN01C.pdf Description: ONSEMI - 3LN01C-TB-H - MOSFET, N-CH, 30V, 0.15A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3LN01C-TB-H 3LN01C-D-105621.pdf
3LN01C-TB-H
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 10476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LN01C-TB-H 3LN01C.pdf
Виробник: SONYO
SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LN01C-TB-H 3LN01C.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LN01C-TB-H - MOSFET, N-CH, 30V, 0.15A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.