Продукція > ONSEMI > 3LP01C-TB-H
3LP01C-TB-H

3LP01C-TB-H onsemi

3LP01C.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V
на замовлення 21993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2597+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 2597
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LP01C-TB-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Supplier Device Package: SC-59-3/CP3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 3LP01C-TB-H за ціною від 6.65 грн до 6.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
3LP01C-TB-H Виробник : ONSEMI ONSMS35153-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 3LP01C-TB-H - 3LP01C-TB-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01C-TB-H 3LP01C-TB-H Виробник : onsemi 3LP01C.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01C-TB-H 3LP01C-TB-H Виробник : onsemi 3LP01C_D-273964.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.