Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS, LLC > 3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H Rochester Electronics, LLC

ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: Rochester Electronics, LLC
Description: SMALL SIGNAL FET
на замовлення 1441718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4808+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 4808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LP01M-TL-H Rochester Electronics, LLC

Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 3LP01M-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
3LP01M-TL-H 3LP01M-TL-H ON Semiconductor 3LP01M-D-34767.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01M-TL-H 3LP01M-TL-H ONSEMI ONSMS35154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01M-TL-H ON Semiconductor 3LP01M-D.PDF ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01M-TL-H 3LP01M-D-34767.pdf
3LP01M-TL-H
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 5484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01M-TL-H ONSMS35154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
3LP01M-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01M-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01M-TL-H 3LP01M-D.PDF ONSMS35154-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.