Продукція > ONSEMI > 3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E onsemi


3LP01S.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
Supplier Device Package: SMCP
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Obsolete
на замовлення 216000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3806+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LP01S-TL-E onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SMCP, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5 pF @ 10 V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 3LP01S-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
3LP01S-TL-E ON Semiconductor 3LP01S.pdf
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
3LP01S-TL-E 3LP01S.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.