Продукція > ONSEMI > 3LP01SS-TL-H.
3LP01SS-TL-H.

3LP01SS-TL-H. ONSEMI



Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 6017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.59 грн
1000+6.18 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 3LP01SS-TL-H. ONSEMI

Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-81, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Інші пропозиції 3LP01SS-TL-H. за ціною від 5.05 грн до 11.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
3LP01SS-TL-H. 3LP01SS-TL-H. Виробник : ONSEMI en6648-d.pdf Description: ONSEMI - 3LP01SS-TL-H. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SC-81, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+11.82 грн
83+9.79 грн
100+8.99 грн
500+7.59 грн
1000+6.18 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.